قطعه الکترونیکی دیود لیزر یک سیستم نیمه رسانا همانند یک دیود نور است. این دیود پیوند P-N را جهت نشر نور یکپارچه بکار می برد که در آن کلیه در امواج صوتی ک فاز برابر هستند. این نور یکپارچه به وسیله این قطعه الکترونیکی ساخته می شود که به پروسه ای به اسم تقویت نور با انتشار ناشی از اشباع ( LASER) مشهور است. و همانطور که پیوند P-N جهت ساخت نور لیزر بکار برده می شود این سیستم به اسم یک دیود لیزری نامگذاری شده است.این نوع دیود های نیم هادی یکی از پرفروش ترین ها در نوع خود در دنیا هستند. این قطعه الکترونیکی نخستین بار در سال ۱۹۶۲ تولید شده اند و ذکر شده که در حال حاضر در مرحله ای قرار دارند که از خیلی جوانب قابل مقایسه با شرایط صنایع الکترونیک سیلیسیمی در ۲۵ سال گذشته است.

ساخت دیود لیزریقطعه الکترونیکی دیود لیزر ساخته شده از دو لایه گالیم آرسنید دوپ شده ( مقصود از دوپ کردن افزودن ناخالصی به یک ماده جهت تغییر عمل شیمیایی آن ماده است) است. یک لایه آن را یک نیمه هادی نوع N ایجاد می کند در صورتی که لایه دیگر آن را یک نیمه رسانا نوع P ایجاد می کند. در این دیود ها آلومینیوم، سلنیوم و سیلیسیم جهت تغییر عمل یک ماده در رسانش بکار برده می شود.

• اتصال P-N
زمانی که میان یک لایه از گونه P با لایه دیگری از گونه N اتصال برقرار شود یک پیوند P-N ایجاد می شود. به نقطه که این دو لایه را به هم وصل می کند محل پیوند P-N نامیده می شود. محل اتصال P-N نیمه رسانا های گونه P و N از هم دور می شوند.

برای ساخت قطعه الکترونیکی دیود لیزر به جای سیلیکون، گالیوم آرسنید تعیین می شود. در دیود های سیلیکون معمولا انرژی در زمان تلفیق دوباره رها می شود با این وجود این رها سازی انرژی به شکل نور نیست.در دیود های گالیوم آرسناید رها سازی انرژی به شکل نور است. در این صورت گالیوم آرسنید جهت ساخت قطعه الکترونیکی دیود لیزر بکار برده می شود.

• نیمه رسانا نوع N
اضافه کردن مقدار اندکی از اتم های خارجی به نیمه رسانای ذاتی ، یک نیمه رسانا گونه n یا p ایجاد می کند. با افزودن ناخالصی ۵ ظرفیتی به نیمه رسانای خالص ، یک نیمه هادی گونه n ساخته می شود. در نیمه رساناهای نوع n الکترون های رها در بردارنده بار زیاد هستند در صورتی که شکاف ها در بردارنده بارهای کمتری هستند. در این صورت اکثرا جریان الکتریکی سبب هدایت الکترون های آزاد را در نیمه رسانا های گونه n می شود.

• نیمه رسانای نوع p
اگر ناخالصی ۳ ظرفیتی به نیمه رسانای ذاتی افزوده شود یک نیمه رسانای گونه p ایجاد می شود. در نیمه رسانا های گونه p شکاف ها دربردارنده بار بیشتری هستند در صورتی که الکترون های آزاد دربردارنده بار کمتری هستند. در این صورت اکثرا، شکاف ها را در نیمه رسانا های گونه p هدایت می کنند.

منبع:https://afzarpardazesh.com/blog/